نظرة عامة على المنتج

في خط إنتاج أشباه الموصلات، يعد نظام الطلاء والتطوير أحد المعدات الرئيسية التي لا غنى عنها، وهو ضروري بدءًا من النموذج الأولي للرقاقة وحتى تكوين أنماط الدوائر. بعد استلام الركيزة، يقوم نظام الطلاء والتطوير أولاً بتنشيط نظام الدوران عالي السرعة-. ينتشر مقاوم الضوء بالتساوي باستخدام القرص الدوار الذي يتم التحكم في سرعته بدقة-، وحتى حواف مستوى المليمتر-يمكن تغليفها بسلاسة-هذه الخطوة هي الاختبار الأكثر دقة، وسيؤثر الانحراف الطفيف على أداء الشريحة اللاحقة.

لا يزال مقاوم الضوء المطلي بحاجة إلى المعالجة. ستسخن لوحة التسخين المدمجة في نظام الطلاء والتطوير-تدريجيًا لجعل الطبقة اللاصقة تلتصق بقوة بالركيزة. بعد انتهاء آلة الطباعة الحجرية من التعريض الضوئي، فإنها تتولى على الفور عملية التطوير. ومن خلال التحكم في درجة الحرارة وكثافة الرش للمطور، فإنه يزيل الطبقة اللاصقة الزائدة غير المكشوفة، وبالتالي يتم الكشف عن النمط الأساسي للدائرة المتكاملة.

في الاستخدام العملي، تكون دقة عرض خط نظام الطلاء والتطوير موثوقة بشكل خاص، وهي مناسبة لعمليات تصنيع الرقائق المختلفة. علاوة على ذلك، فإن القدرة الإنتاجية، والتي تعتبر الأكثر قيمة في خط الإنتاج، ممتازة أيضًا. يمكنه معالجة عدد كبير من الركائز في الساعة، مع انخفاض استخدام الذاكرة. يمكن أن تعمل بشكل مستمر لأكثر من عشر ساعات بثبات، ويمكنها مواكبة إيقاع الإنتاج الضخم بشكل كامل.

يرجى الاتصال بممثلي المبيعات لدينا للحصول على الحل الأنسب لك.

المزايا

-يعتمد تصنيع الرقائق عالية الدقة على تقنية الطلاء بالدوران الدقيق، والتي تضمن تطبيقًا ثابتًا لمقاوم الضوء وتقلل بشكل كبير من صعوبات المعالجة اللاحقة.

يمكن التعامل بسهولة مع المشكلات المعقدة مثل محاذاة التوقيت ونقل الرقاقة بين الأجهزة من خلال طرق تحكم تعاونية خاصة.

أدت التطورات الكبيرة في دقة التحكم في درجة الحرارة، والتجانس على مستوى المقياس النانوي، والتحكم في العيوب إلى معدلات إنتاج تزيد عن 90%.

يعتبر محلول الطلاء الدوراني المتخصص مناسبًا لجميع أنواع الركائز ويمكن تطبيقه على الرقاقات ذات السماكات المختلفة والأشكال غير العادية.

تتم موازنة التماثل والكفاءة من خلال سرعة الدوران المحسنة وضغط الطلاء، مما يقلل بشكل كبير من خسائر الإنتاجية ويجعل من السهل تصنيع الرقائق ذات الأشكال غير المنتظمة.

حدود

①DS 100

product-402-460

نظرة عامة على جهاز DS 100
حجم الجهاز (مم)	*282510801600* 2C2D + واجهة	حجم الرقاقة	رقائق 2-6 بوصة (50 مم - 100 مم)
WPH	أقل من أو يساوي 160 قطعة	MTTR	أقل من أو يساوي 4 ساعات
تصنيف الجدارة	Class1@0.1μm منطقة نقل الويفر فقط	MTBF	أكبر من أو يساوي 1000 ساعة
عملية قابلة للتطبيق	أنا الخط، PI، العلاقات العامة	MTBM	>ستة أشهر
مادة اتصال الرقاقة	نظرة خاطفة/PTFE/السيراميك	معدل كسر الرقاقة	أقل من أو يساوي 0.01%
أشرطة	سميف؛ فتح الكاسيت	وقت طويل	أكبر من أو يساوي 95%
منطقة التطبيق	أشباه الموصلات المركبة، الدوائر المتكاملة، جهاز الطاقة، مشروع البحث العلمي، الجهاز البصري، IC، IGBT، MOSFET، MEMS، رقاقة تزييفها، رقاقة مربعة	بيئة تشغيل البرمجيات	نظام التشغيل Windows 10 أو الأحدث
الحد الأدنى لعرض الخط	350 نانومتر	وحدة اللوحة الباردة والساخنة	(HP، CPL، ADH، HHP) أقل من أو يساوي 14 قطعة

②DS 200

product-1204-1106

نظرة عامة على جهاز DS 200
حجم الجهاز (مم)	*166015102000* (تصميم البرج)	حجم الرقاقة	رقائق 2-6 بوصة (50 مم - 100 مم)
WPH	أقل من أو يساوي 150 قطعة	MTTR	أقل من أو يساوي 4 ساعات
تصنيف الجدارة	Class1@0.1μm منطقة نقل الويفر فقط	MTBF	أكبر من أو يساوي 1000 ساعة
عملية قابلة للتطبيق	أنا الخط، PI، العلاقات العامة	MTBM	>ستة أشهر
مادة اتصال الرقاقة	نظرة خاطفة/PTFE/السيراميك	معدل كسر الرقاقة	أقل من أو يساوي 0.01%
أشرطة	سميف؛ فتح الكاسيت	وقت طويل	أكبر من أو يساوي 95%
منطقة التطبيق	أشباه الموصلات المركبة، LED، جهاز بصري، IC، IGBT، MOSFET، MEMS، رقاقة تزييفها، رقاقة مربعة	بيئة تشغيل البرمجيات	نظام التشغيل Windows 10 أو الأحدث
الحد الأدنى لعرض الخط	350 نانومتر	وحدة اللوحة الباردة والساخنة	(HP، CPL، ADH، HHP) أقل من أو يساوي 14 قطعة

③DS 300

product-369-492

نظرة عامة على جهاز DS300
حجم الجهاز (مم)	*285013602200* 2C2D + واجهة	حجم الرقاقة	رقائق بحجم 4-8 بوصة (100 مم - 200 مم)
WPH	أقل من أو يساوي 160 قطعة	MTTR	أقل من أو يساوي 4 ساعات
تصنيف الجدارة	Class1@0.1μm منطقة نقل الويفر فقط	MTBF	أكبر من أو يساوي 1000 ساعة
عملية قابلة للتطبيق	أنا الخط، PI، العلاقات العامة	MTBM	>ستة أشهر
مادة اتصال الرقاقة	ASML، نيكون، كانون، CECT، SMCC	معدل كسر الرقاقة	أقل من أو يساوي 0.01%
أشرطة	سميف؛ فتح الكاسيت	وقت طويل	أكبر من أو يساوي 95%
منطقة التطبيق	أشباه الموصلات المركبة، الدوائر المتكاملة، جهاز الطاقة، شريحة الذاكرة، مشروع البحث العلمي، الجهاز البصري، IC، IGBT، MOSFET، MEMS، رقاقة تزييفها، رقاقة مربعة	بيئة تشغيل البرمجيات	نظام التشغيل Windows 10 أو الأحدث
الحد الأدنى لعرض الخط	180 نانومتر	وحدة اللوحة الباردة والساخنة	(HP; CPL; AD; DHP) أقل من أو يساوي 24 قطعة

④DS 400

product-589-441

نظرة عامة على جهاز DS 400
حجم الجهاز (مم)	*397516552550* 4C4D + واجهة	حجم الرقاقة	رقائق 6-8 بوصة (150 مم - 200 مم)
WPH	أقل من أو يساوي 180 قطعة	MTTR	أقل من أو يساوي 4 ساعات
تصنيف الجدارة	Class1@0.1μm منطقة نقل الويفر فقط	MTBF	أكبر من أو يساوي 1000 ساعة
عملية قابلة للتطبيق	أنا سطر، KrF، ArF، PI، PR، الحزمة	MTBM	>ستة أشهر
مادة اتصال الرقاقة	ASML، نيكون، كانون، CECT، SMCC	معدل كسر الرقاقة	أقل من أو يساوي 0.01%
أشرطة	فوب؛ سميف؛ فتح الكاسيت	وقت طويل	أكبر من أو يساوي 95%
منطقة التطبيق	أشباه الموصلات المركبة، الدوائر المتكاملة، جهاز الطاقة، شريحة الذاكرة، مشروع البحث العلمي، IC، IGBT، MOSFET، MEMS، رقاقة التزييف، رقاقة مربعة	بيئة تشغيل البرمجيات	نظام التشغيل Windows 10 أو الأحدث
الحد الأدنى لعرض الخط	90 نانومتر	وحدة اللوحة الباردة والساخنة	(LHP، CPL، ADH، HCH، PHP، HCP) أقل من أو يساوي 38 قطعة

⑤DS 500

product-501-501

نظرة عامة على جهاز DS 500
حجم الجهاز (مم)	*537021002650* 4C4D + واجهة	حجم الرقاقة	رقائق 8- 12 بوصة (200 مم- 300 مم)
WPH	أقل من أو يساوي 200 قطعة	MTTR	أقل من أو يساوي 4 ساعات
تصنيف الجدارة	Class1@0.1μm منطقة نقل الويفر فقط	MTBF	أكبر من أو يساوي 1000 ساعة
عملية قابلة للتطبيق	أنا سطر، KrF، ArF، PI، PR، الحزمة	MTBM	>ستة أشهر
مادة اتصال الرقاقة	ASML، نيكون، كانون، CECT، SMCC	معدل كسر الرقاقة	أقل من أو يساوي 0.01%
أشرطة	فوب؛ سميف	وقت طويل	أكبر من أو يساوي 95%
منطقة التطبيق	أشباه الموصلات المركبة، الدوائر المتكاملة، جهاز الطاقة، شريحة الذاكرة، مشروع البحث العلمي، IC، IGBT، MOSFET، MEMS، رقاقة التزييف، رقاقة مربعة، CoWoS	بيئة تشغيل البرمجيات	نظام التشغيل Windows 10 أو الأحدث
الحد الأدنى لعرض الخط	45 نانومتر	وحدة اللوحة الباردة والساخنة	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) أقل من أو يساوي 42 قطعة